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    轴承感应加热的界面张力平衡作用

    目录:感应淬火发布时间:2020-11-13 发布来源:4155mg娱乐

    在轴承感应加热中,奥氏体晶粒生长的动因是晶粒度的不均匀。且与品粒大小成反比,驱动晶粒长大与界面能成反比。

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    晶界处于理想状态。在此状态下的轴承感应加热奥氏体颗粒不容易长大。但是,事实上奥氏体晶粒并不均匀。为保持界面张力平街,晶粒直径小于平均直径的晶粒一般小于6;直径大于平均直径的品粒一般小于6;

    轴承感应加热

    由于轴承感应加热的界面张力平衡作用,在一定温度条件下,只要靠近晶粒数小于6的晶粒,晶界就会弯曲成正曲率弧形,从而增大界面面积,提高界面能量。晶界处于理想状态。

    为减少轴承感应加热晶界面积,降低界面能,晶界呈由曲线向直线转变的自然趋势,从而使晶粒不断缩小,直至消失。当界面晶粒数目大于6时,由于边界张力平衡,界面弯曲成负曲率弧形,同样地,减少了界面面积,界面能量增大,晶粒长大,从而吞并了小颗粒。

     

    进一步提高轴承感应加热温度或延长保温时间,大颗粒会继续长大这是无数小颗粒被吞噬和大颗粒长大的综合结果。这一成长过程也就是所谓的奥氏体长大再结晶。

    简而言之,界面能越大,晶粒越小,对轴承感应加热奥氏体晶粒长大的驱动力越大,晶粒长大倾向越大,品界更容易迁移。

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